氧化鎵 日本
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10年後氧化鎵將直接與碳化矽競爭
https://www.eettaiwan.com
2014年日本用倒模法生長了4吋的晶圓，2016年推出了6吋，隨後又實現了4吋氧化鎵材料的突破及產業化。美國、德國、法國等也在加緊氧化鎵產品的研究和競爭， ...
EV續航距離增1成日企將量產氧化鎵功率半導體
https://www.moneydj.com
據報導，日本電子零件製造商Tamura也計畫在2024年以月產數萬個的規模開始生產氧化鎵功率半導體、目標在2027年將月產能提高至約6,000萬個。 截至日本股市25 ...
日企在世界首次實現氧化鎵功率半導體6英吋成膜
https://zh.cn.nikkei.com
日本從事半導體研發的Novel Crystal Technology（NCT，埼玉縣狹山市）發佈消息稱，該公司與日本酸素控股旗下的大陽日酸、東京農工大學一起，成功實現 ...
日企要量産氧化鎵晶圓，成本降至13
https://zh.cn.nikkei.com
這是一種由「氧化鎵（GaO）」製成的晶圓，新興企業Novel Crystal Technology最早將於2025年開始量産。由於這種晶圓有助於提高純電動汽車的性能等，日本 ...
日本新技術能讓氧化鎵成本降至1100
https://zh.cn.nikkei.com
氧化鎵與碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）等一起，作為新一代材料受到期待。據稱氧化鎵的電力損耗在理論上僅為矽的約3400分之1、碳化矽的約10分之1。
日本量產「氧化鎵」4吋晶圓全球首創
https://news.cnyes.com
依照Novel Crystal 目前的規劃，他們估計氧化鎵的晶圓在2021 年內就能開始供應。由於客戶們可利用現有的4 吋晶圓設備來進行新一代產品的生產，過去投資的 ...
第四代半導體氧化鎵產業發展動態
https://technews.tw
大尺寸低缺陷單晶製作，僅日本NCT 研發出6 吋單晶，但尚未量產供貨；2. 氧化鎵功率半導體尚處於研發階段，大規模實際應用仍有欠缺。
第四代半導體氧化鎵（Ga2O3）來了！台廠有機會？
https://buzzorange.com
氧化鎵（Ga2O3）以及碳化矽是所謂的寬能隙半導體，在大電力、高頻元件上擁有優勢，材料可以承受更高電壓的 ... 目前日本在氧化鎵具有全球領先技術。
電動車續航距離增一成，日企將量產氧化鎵功率半導體
https://technews.tw
電動車（EV）續航距離可提升一成！FLOSFIA、Tamura 等日本企業將開始量產使用氧化鎵（GaO）的第三代功率半導體，可減少電力損耗，提高EV 續航距離。